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Notícias
Heteroepitaxia de 3C-SiC: Uma Visão Geral
O desenvolvimento do 3C-SiC, um politipo significativo de carboneto de silício, reflete o avanço contínuo da ciência dos materiais semicondutores. Na década de 1980, Nishino et al. alcançou pela primeira vez um filme 3C-SiC de 4 μm de espessura em um substrato de silício usando deposição química de ......
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SiC espesso CVD de alta pureza: insights do processo para crescimento de materiais
Camadas espessas de carboneto de silício (SiC) de alta pureza, normalmente superiores a 1 mm, são componentes críticos em diversas aplicações de alto valor, incluindo fabricação de semicondutores e tecnologias aeroespaciais. Este artigo investiga o processo de Deposição Química de Vapor (CVD) para a......
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Silício monocristalino vs. silício policristalino
O silício monocristalino e o silício policristalino têm, cada um, suas próprias vantagens exclusivas e cenários aplicáveis. O silício monocristalino é adequado para produtos eletrônicos e microeletrônica de alto desempenho devido às suas excelentes propriedades elétricas e mecânicas. O silício polic......
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Substrato e Epitaxia
No processo de preparação do wafer, existem dois elos principais: um é a preparação do substrato e o outro é a implementação do processo epitaxial. O substrato, um wafer cuidadosamente feito de material semicondutor de cristal único, pode ser colocado diretamente no processo de fabricação do wafer c......
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Compreendendo a deposição química de vapor (CVD): uma visão geral abrangente
A Deposição Química de Vapor (CVD) é uma técnica versátil de deposição de filme fino amplamente empregada na indústria de semicondutores para a fabricação de filmes finos conformados de alta qualidade em vários substratos. Este processo envolve reações químicas de precursores gasosos sobre uma super......
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