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Notícias

Infineon lança o primeiro wafer Power GaN de 300 mm do mundo

Recentemente, a Infineon Technologies anunciou o desenvolvimento bem-sucedido da primeira tecnologia de wafer de nitreto de gálio (GaN) de potência de 300 mm do mundo.

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Fabricação de silício monocristalino

Os três métodos principais usados na fabricação de silício monocristalino são o método Czochralski (CZ), o método Kyropoulos e o método Float Zone (FZ).

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Oxidação no Processamento de Semicondutores

Os processos de oxidação desempenham um papel crítico na prevenção de tais problemas, criando uma camada protetora no wafer, conhecida como camada de óxido, que atua como uma barreira entre diferentes produtos químicos.

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Analisando as Aplicações e Perspectivas de Desenvolvimento da Cerâmica SiC nos Setores de Semicondutores e Fotovoltaicos

O carboneto de silício (SiC), como um importante material cerâmico de alta qualidade, possui excelentes propriedades, como resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão, resistência ao desgaste, resistência mecânica a altas temperaturas e resistência à oxidação. Essas propriedades o torna......

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Por que escolher a sinterização sem pressão para preparação de cerâmica de SiC?

A temperatura de síntese ultra-alta e a dificuldade de conseguir uma sinterização densa de cerâmicas de SiC limitaram o seu desenvolvimento. O processo de sinterização é crucial para a cerâmica SiC.

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O que é nitreto de silício

O nitreto de silício (Si3N4) é um material chave no desenvolvimento de cerâmicas estruturais avançadas de alta temperatura.

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