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Notícias
Vantagens do revestimento TAC no crescimento de cristal único SiC
Atualmente, o carboneto de silício domina a terceira geração de semicondutores. Na estrutura de custos dos dispositivos de carboneto de silício, os substratos representam 47%e a epitaxia contribui com 23%. Juntos, esses dois componentes representam cerca de 70% do custo geral de fabricação, tornando......
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Aplicações de carboneto de silício
Entre os principais componentes dos veículos elétricos, os módulos de potência automotiva – utilizando principalmente a tecnologia IGBT – desempenham um papel crucial. Esses módulos não apenas determinam o desempenho chave do sistema de acionamento elétrico, mas também respondem por mais de 40% do c......
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Método Czochralski
Os wafers são cortados de bastões de cristal, produzidos a partir de materiais intrínsecos policristalinos e puros não dopados. O processo de transformação de material policristalino em monocristais por meio de fusão e recristalização é conhecido como crescimento de cristal. Atualmente, dois métodos......
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Fabricação de wafer
Wafers são matérias-primas essenciais para circuitos integrados, dispositivos de potência e dispositivos semicondutores discretos. Mais de 90% dos circuitos integrados são fabricados com wafers de alta pureza e alta qualidade. A qualidade e a capacidade de fornecimento desses wafers na indústria est......
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