A epitaxia de silício é um processo primário de fabricação de circuitos integrados. Ele permite que dispositivos IC sejam fabricados em camadas epitaxiais levemente dopadas com camadas enterradas fortemente dopadas, ao mesmo tempo que formam junções PN crescidas, resolvendo assim o problema de isola......
consulte Mais informaçãoA gravação a seco é uma tecnologia principal nos processos de fabricação de sistemas microeletromecânicos. O desempenho do processo de gravação a seco exerce influência direta na precisão estrutural e no desempenho operacional de dispositivos semicondutores. Para controlar com precisão o processo de......
consulte Mais informaçãoA gravação a seco é normalmente um processo que combina ações físicas e químicas, sendo o bombardeio de íons uma técnica de gravação física crucial. Durante a gravação, o ângulo de incidência e a distribuição de energia dos íons podem ser desiguais.
consulte Mais informaçãoA corrediça aerostática de carboneto de silício é um sistema de guia avançado que combina as propriedades do material do carboneto de silício e da tecnologia aerostática. Servindo como a solução ideal para sistemas de movimento de alta precisão, alta confiabilidade e longo prazo, a corrediça aerostá......
consulte Mais informaçãoO método principal para a preparação de monocristais de carboneto de silício é o método de transporte físico de vapor (PVT). Este método consiste principalmente em uma cavidade de tubo de quartzo, um elemento de aquecimento (bobina de indução ou aquecedor de grafite), material de isolamento de feltr......
consulte Mais informaçãoSOI, abreviação de Silicon-On-Insulator, é um processo de fabricação de semicondutores baseado em materiais de substrato especiais. Desde a sua industrialização na década de 1980, esta tecnologia tornou-se um importante ramo dos processos avançados de fabricação de semicondutores. Distinguido por su......
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