Para atingir os requisitos de alta qualidade dos processos de circuito de chip IC com larguras de linha menores que 0,13 μm a 28 nm para wafers de polimento de silício de 300 mm de diâmetro, é essencial minimizar a contaminação por impurezas, como íons metálicos, na superfície do wafer.
consulte Mais informaçãoÀ medida que o mundo procura novas oportunidades no campo dos semicondutores, o nitreto de gálio (GaN) continua a destacar-se como um candidato potencial para futuras aplicações de energia e RF. No entanto, apesar dos seus inúmeros benefícios, o GaN enfrenta um desafio significativo: a ausência de p......
consulte Mais informaçãoO polimento da superfície do wafer de silício é um processo crucial na fabricação de semicondutores. Seu principal objetivo é atingir padrões extremamente elevados de planicidade e rugosidade da superfície, removendo microdefeitos, camadas de danos por tensão e contaminação por impurezas, como íons ......
consulte Mais informaçãoA célula unitária cristalina básica do silício monocristalino é a estrutura da mistura de zinco, na qual cada átomo de silício se liga quimicamente a quatro átomos de silício vizinhos. Esta estrutura também é encontrada em diamantes de carbono monocristalinos.
consulte Mais informaçãoOs monocristais de carboneto de silício (SiC) são produzidos principalmente usando o método de sublimação. Depois de remover o cristal do cadinho, são necessárias várias etapas de processamento complexas para criar wafers utilizáveis.
consulte Mais informação