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Por que a epitaxia de nitreto de glium (GaN) não cresce em um substrato de GaN?

O crescimento da epitaxia GaN no substrato GaN apresenta um desafio único, apesar das propriedades superiores do material quando comparado ao silício. A epitaxia GaN oferece vantagens significativas em termos de largura de banda, condutividade térmica e campo elétrico de ruptura em relação aos mater......

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Como fazer o processo CMP

No processo de fabricação do wafer de silício, depois que a haste de cristal é cortada em wafers de silício, ela precisará ser polida e limpa para obter um wafer de silício de cristal único como um espelho.

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O que é o processo CMP

Na fabricação de semicondutores, a planicidade em nível atômico é geralmente usada para descrever a planicidade global do wafer, com a unidade de nanômetros (nm).

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Quais são os prós e contras da gravação a seco e da gravação a úmido?

A gravação é um processo essencial na fabricação de semicondutores. Este processo pode ser categorizado em dois tipos: ataque a seco e ataque a úmido. Cada técnica tem suas vantagens e limitações, sendo crucial compreender as diferenças entre elas. Então, como você escolhe o melhor método de gravaçã......

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Material central para crescimento de SiC: revestimento de carboneto de tântalo

Os atuais semicondutores de terceira geração são baseados principalmente em carboneto de silício, com substratos representando 47% dos custos dos dispositivos, e epitaxia representando 23%, totalizando aproximadamente 70% e formando a parte mais importante da indústria de fabricação de dispositivos ......

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Implante iônico e processo de difusão

A implantação iônica é um método de dopagem de semicondutores e um dos principais processos na fabricação de semicondutores.

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