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Qual é o processo epitaxial do SiC?

No campo de alta tensão, principalmente para dispositivos de alta tensão acima de 20.000 V, a tecnologia epitaxial SiC ainda enfrenta vários desafios. Uma das principais dificuldades é conseguir alta uniformidade, espessura e concentração de dopagem na camada epitaxial. Para a fabricação de tais dis......

Crescimento substancial do mercado Susceptor de grafite revestido com SiC

MOCVD é o equipamento chave

Fundos em projetos de semicondutores

Cada país está ciente da importância dos chips e agora está acelerando a construção de seu próprio ecossistema de cadeia de suprimentos de fabricação de chips para evitar outro problema de escassez de chips. Mas as fundições avançadas sem os projetistas de chip de última geração seriam o mesmo que “......

TSMC: produção experimental de risco de processo de 2nm no próximo ano

Em seu relatório anual recém-lançado, o presidente da TSMC, Deyin Liu, e o CEO Chieh-Jia Wei revelaram o progresso relacionado ao processo de 2 nm.

Cenários de Aplicação para Camadas Epitaxiais

Sabemos que outras camadas epitaxiais precisam ser construídas sobre alguns substratos de wafer para a fabricação de dispositivos, normalmente dispositivos emissores de luz LED, que requerem camadas epitaxiais de GaAs sobre substratos de silício; As camadas epitaxiais de SiC são cultivadas sobre sub......