Corte de SiC

Carboneto de silício (SiC)é altamente favorecido na indústria de semicondutores por suas excelentes propriedades físicas e químicas. No entanto, a alta dureza e fragilidade doSiCrepresentam desafios consideráveis ​​ao seu processamento.

O corte com fio diamantado é comumente usadoSiCmétodo de corte e é adequado para a preparação de wafers de SiC de grande tamanho.

Vantagem:

Alta eficiência: Com sua rápida velocidade de corte, a tecnologia de corte com fio diamantado tornou-se o método preferido para a produção em massa de wafers de SiC de grande porte, melhorando significativamente a eficiência da produção.

Baixo dano térmico: Comparado com os métodos de corte tradicionais, o corte com fio diamantado gera menos calor durante a operação, reduzindo efetivamente os danos térmicos aos cristais de SiC e mantendo a integridade do material.

Boa qualidade de superfície: A rugosidade superficial do wafer de SiC obtida após o corte é baixa, o que fornece uma boa base para processos subsequentes de retificação e polimento e ajuda a obter um tratamento de superfície de maior qualidade.

deficiência:

Alto custo do equipamento: O equipamento de corte com fio diamantado requer um alto investimento inicial e os custos de manutenção também são altos, o que pode aumentar o custo geral de produção.

Perda de fio: O fio diamantado se desgastará durante o processo de corte contínuo e precisa ser substituído regularmente, o que não só aumenta o custo do material, mas também aumenta a carga de trabalho de manutenção.

Precisão de corte limitada: Embora o corte com fio diamantado tenha um bom desempenho em aplicações regulares, sua precisão de corte pode não atender a requisitos mais rigorosos onde formas ou microestruturas complexas precisam ser processadas.

Apesar de alguns desafios, a tecnologia de corte com fio diamantado continua sendo uma ferramenta poderosa na fabricação de wafers de SiC. À medida que a tecnologia continua a avançar e a relação custo-eficácia melhora, espera-se que este método desempenhe um papel mais importante naBolacha de SiCprocessamento no futuro.