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O que é wafer de SiC tipo P?

Um wafer de carboneto de silício (SiC) tipo P é um substrato semicondutor dopado com impurezas para criar uma condutividade tipo P (positiva). O carboneto de silício é um material semicondutor de banda larga que oferece propriedades elétricas e térmicas excepcionais, tornando-o adequado para disposi......

Por que escolher susceptores de grafite revestidos com SiC?

O susceptor de grafite é uma das partes essenciais no equipamento MOCVD, é o portador e o aquecedor do substrato do wafer. Suas propriedades de estabilidade térmica e uniformidade térmica desempenham um papel decisivo na qualidade do crescimento epitaxial do wafer, o que determina diretamente a unif......

Qual é o processo epitaxial do SiC?

No campo de alta tensão, principalmente para dispositivos de alta tensão acima de 20.000 V, a tecnologia epitaxial SiC ainda enfrenta vários desafios. Uma das principais dificuldades é conseguir alta uniformidade, espessura e concentração de dopagem na camada epitaxial. Para a fabricação de tais dis......

Crescimento substancial do mercado Susceptor de grafite revestido com SiC

MOCVD é o equipamento chave

Fundos em projetos de semicondutores

Cada país está ciente da importância dos chips e agora está acelerando a construção de seu próprio ecossistema de cadeia de suprimentos de fabricação de chips para evitar outro problema de escassez de chips. Mas as fundições avançadas sem os projetistas de chip de última geração seriam o mesmo que “......