Polimento de superfície de wafers de silício

Bolacha de silícioo polimento de superfície é um processo crucial na fabricação de semicondutores. Seu principal objetivo é atingir padrões extremamente elevados de planicidade e rugosidade da superfície, removendo microdefeitos, camadas de danos por tensão e contaminação por impurezas, como íons metálicos. Isto garante que obolachas de silícioatender aos requisitos de preparação para dispositivos microeletrônicos, incluindo circuitos integrados (ICs).

Para garantir a precisão do polimento, obolacha de silícioo processo de polimento pode ser organizado em duas, três ou até quatro etapas distintas. Cada etapa emprega diferentes condições de processamento, incluindo pressão, composição líquida de polimento, tamanho de partícula, concentração, valor de pH, material do pano de polimento, estrutura, dureza, temperatura e volume de processamento.

As etapas gerais debolacha de silíciopolimento são os seguintes:

1. **Polimento Bruto**: Esta etapa tem como objetivo remover a camada de danos por estresse mecânico deixada na superfície do processamento anterior, alcançando a precisão dimensional geométrica necessária. O volume de processamento para polimento bruto normalmente excede 15–20μm.

2. **Polimento Fino**: Neste estágio, o nivelamento local e a rugosidade da superfície do wafer de silício são ainda mais minimizados para garantir alta qualidade da superfície. O volume de processamento para polimento fino é de cerca de 5–8μm.

3. **Polimento fino "desembaçamento"**: Esta etapa se concentra na eliminação de pequenos defeitos superficiais e na melhoria das características de nanomorfologia do wafer. A quantidade de material removido durante este processo é de cerca de 1 μm.

4. **Polimento final**: Para processos de chip IC com requisitos de largura de linha extremamente rigorosos (como chips menores que 0,13μm ou 28nm), uma etapa de polimento final é essencial após o polimento fino e o polimento fino "desembaçador". Isso garante que o wafer de silício alcance precisão de usinagem excepcional e características de superfície em nanoescala.

É importante ressaltar que o polimento químico-mecânico (CMP) dobolacha de silíciosuperfície é diferente da tecnologia CMP usada para achatar a superfície do wafer na preparação de IC. Embora ambos os métodos envolvam uma combinação de polimento químico e mecânico, suas condições, finalidades e aplicações diferem significativamente.

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