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Notícias

Por que usar limpeza ultrassônica na fabricação de semicondutores

Ao limpar wafers, a limpeza ultrassônica e a limpeza megassônica são comumente usadas para remover partículas da superfície do wafer.

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Como a cerâmica de carboneto de silício é aplicada e qual é o seu futuro em termos de resistência ao desgaste e a altas temperaturas?

As cerâmicas de carboneto de silício (SiC), conhecidas por sua alta resistência, dureza, resistência ao desgaste, resistência à corrosão e estabilidade em altas temperaturas, demonstraram imenso potencial e valor em vários setores industriais desde sua introdução.

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O Estudo sobre a Distribuição da Resistividade Elétrica em Cristais 4H-SiC Tipo n

O 4H-SiC, como material semicondutor de terceira geração, é conhecido por seu amplo bandgap, alta condutividade térmica e excelente estabilidade química e térmica, tornando-o altamente valioso em aplicações de alta potência e alta frequência.

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O que é o sistema de forno de crescimento de cristal

O forno de crescimento de cristal único é composto por seis sistemas principais que funcionam em harmonia para garantir um crescimento de cristal eficiente e de alta qualidade.

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Infineon lança o primeiro wafer Power GaN de 300 mm do mundo

Recentemente, a Infineon Technologies anunciou o desenvolvimento bem-sucedido da primeira tecnologia de wafer de nitreto de gálio (GaN) de potência de 300 mm do mundo.

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Fabricação de silício monocristalino

Os três métodos principais usados na fabricação de silício monocristalino são o método Czochralski (CZ), o método Kyropoulos e o método Float Zone (FZ).

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