Fornos de Deposição de Vapor Químico CVD

Os fornos de deposição química de vapor Semicorex CVD tornam a fabricação de epitaxia de alta qualidade mais eficiente. Fornecemos soluções de forno personalizadas. Nossos fornos de deposição de vapor químico CVD têm uma boa vantagem de preço e cobrem a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Os fornos de deposição de vapor químico CVD Semicorex projetados para CVD e CVI são usados para depositar materiais em um substrato. As temperaturas de reação até 2200°C. Controles de fluxo de massa e válvulas moduladoras coordenam reagentes e gases de arraste como N, H, Ar, CO2, metano, tetracloreto de silício, metil triclorosilano e amônia. Os materiais depositados incluem carboneto de silício, carbono pirolítico, nitreto de boro, seleneto de zinco e sulfeto de zinco. Os fornos de deposição de vapor químico CVD têm estruturas horizontais e verticais.

Aplicativo:Revestimento SiC para material compósito C/C, revestimento SiC para grafite, revestimento SiC, BN e ZrC para fibra e etc.

Características dos fornos de deposição de vapor químico Semicorex CVD

1.Design robusto feito de materiais de alta qualidade para uso a longo prazo;

2. Fornecimento de gás controlado com precisão através do uso de controladores de fluxo de massa e válvulas de alta qualidade;

3.Equipado com recursos de segurança, como proteção contra temperatura excessiva e detecção de vazamento de gás para operação segura e confiável;

4. Usando várias zonas de controle de temperatura, grande uniformidade de temperatura;

5.Câmara de deposição especialmente projetada com bom efeito de vedação e ótimo desempenho anticontaminação;

6. Usando vários canais de deposição com fluxo de gás uniforme, sem cantos mortos de deposição e superfície de deposição perfeita;

7. Possui tratamento para alcatrão, poeira sólida e gases orgânicos durante o processo de deposição

Especificações do Forno CVD
Modelo	Tamanho da zona de trabalho (L × A × C) mm	máx. Temperatura (°C)	Temperatura Uniformidade (°C)	Vácuo final (Pa)	Taxa de Aumento de Pressão (Pa/h)
LFH-6900-SiC	600×600×900	1500	±7,5	1-100	0.67
LFH-10015-SiC	1000×1000×1500	1500	±7,5	1-100	0.67
LFH-1220-SiC	1200×1200×2000	1500	±10	1-100	0.67
LFH-1530-SiC	1500×1500×3000	1500	±10	1-100	0.67
LFH-2535-SiC	2500×2000×3500	1500	±10	1-100	0.67
LFV-D3050-SiC	Ï300×500	1500	±5	1-100	0.67
LFV-D6080-SiC	Ï600×800	1500	±7,5	1-100	0.67
LFV-D8120-SiC	Ï800×1200	1500	±7,5	1-100	0.67
LFV-D11-SiC	Ï1100×2000	1500	±10	1-100	0.67
LFV-D26-SiC	Ï2600×3200	1500	±10	1-100	0.67

*Os parâmetros acima podem ser ajustados aos requisitos do processo, eles não são como padrão de aceitação, a especificação de detalhe. serão declarados na proposta técnica e nos acordos.