Substrato AIN

Condutividade térmica e isolamento elétrico incomparáveis

O substrato AIN da Semicorex se destaca principalmente por sua excepcional condutividade térmica, que é crucial para gerenciar o calor em dispositivos eletrônicos de alta potência. Com condutividade térmica padrão de 175 W/m·K e opções de condutividade térmica alta (200 W/m·K) e ultra-alta (230 W/m·K), o substrato AIN dissipa efetivamente o calor, garantindo a longevidade e confiabilidade dos componentes. Juntamente com suas fortes propriedades de isolamento elétrico, o substrato AIN é o material preferido para submontagens, placas de circuito impresso (PCBs) e pacotes para componentes de alta potência e alta confiabilidade, bem como dissipadores de calor e vários circuitos eletrônicos.

Compatibilidade com Silício e Expansão Térmica

Uma das características de destaque do Substrato AIN é seu coeficiente de expansão térmica (CTE), que varia de 4 a 6 x 10^-6/K entre 20 e 1000°C. Este CTE é semelhante ao do silício, tornando o substrato AIN um material ideal para a indústria de semicondutores e embalagens de dispositivos eletrônicos. Esta compatibilidade reduz o risco de estresse térmico e garante integração perfeita com componentes baseados em silício, melhorando o desempenho e a confiabilidade geral do dispositivo.

Personalização para atender diversas necessidades

A Semicorex oferece amplos serviços de customização para o substrato AIN, permitindo soluções personalizadas para atender aos requisitos específicos da aplicação. Quer a necessidade seja do tipo retificação, tipo de queima instantânea, alta resistência à flexão, alta condutividade térmica, tipo de polimento ou tipo de gravação a laser, a Semicorex pode fornecer substratos otimizados para as características de desempenho desejadas. Esse nível de personalização garante que os clientes recebam substratos que atendam com precisão às suas necessidades térmicas, mecânicas e elétricas.

Versatilidade em Metalização e Aplicações Eletrônicas

O Substrato AIN da Semicorex é compatível com várias técnicas de metalização, incluindo Cobre Banhado Direto (DPC), Cobre Ligado Direto (DBC), Impressão de Filme Espesso, Impressão de Filme Fino e Brasagem de Metal Ativo (AMB). Essa versatilidade o torna adequado para uma ampla gama de aplicações eletrônicas, desde LEDs de alta potência e circuitos integrados (ICs) até transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) e aplicações de bateria. A adaptabilidade do substrato a diferentes métodos de metalização garante que ele possa ser efetivamente utilizado em diversos sistemas eletrônicos.

Capacidades de design ultrafino

Para aplicações onde espaço e peso são considerações críticas, a Semicorex oferece substratos AIN com espessuras tão finas quanto 0,1 mm. Esta capacidade de design ultrafino permite o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos compactos e leves sem comprometer o desempenho ou a confiabilidade. A capacidade de produzir substratos tão finos amplia ainda mais a gama de aplicações e aumenta a flexibilidade de projeto para engenheiros e projetistas.

Alternativa segura e ecologicamente correta ao BeO

Na indústria de semicondutores, o nitreto de alumínio é cada vez mais adotado como substituto do óxido de berílio (BeO) devido à sua natureza não perigosa durante a usinagem. Ao contrário do BeO, que apresenta riscos significativos à saúde durante o processamento, o AlN é seguro para manusear e processar, tornando-o uma alternativa mais ecológica e segura. Esta mudança não só melhora a segurança dos trabalhadores, mas também se alinha com regulamentações ambientais e metas de sustentabilidade mais rigorosas.

Alta resistência mecânica

A resistência mecânica do substrato AIN é outra vantagem crítica. Com resistência biaxial superior a 320 MPa, o substrato garante durabilidade e resiliência sob esforços mecânicos. Essa alta resistência mecânica é vital para aplicações que exigem materiais robustos e confiáveis, especialmente em eletrônicos de alta potência e ambientes operacionais severos. A durabilidade do Substrato AIN contribui para a longevidade e confiabilidade dos dispositivos nos quais é utilizado.

Amplo espectro de aplicações

As propriedades exclusivas do substrato AIN o tornam adequado para um amplo espectro de aplicações de alta potência e alto desempenho:

LEDs de alta potência: As excepcionais capacidades de gerenciamento térmico do substrato AIN garantem a operação eficiente e a vida útil prolongada dos LEDs de alta potência.

Circuitos Integrados (ICs): O isolamento elétrico e a condutividade térmica do substrato AIN tornam-no uma escolha ideal para CIs, melhorando o desempenho e a confiabilidade.

Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBTs): A capacidade do substrato de gerenciar altas cargas térmicas e de potência é crucial para a operação de IGBTs em diversas aplicações de eletrônica de potência.

Aplicações de bateria: Em tecnologias de bateria, o substrato AIN fornece gerenciamento térmico eficaz, melhorando a segurança e o desempenho.

Aplicações piezoelétricas: A resistência mecânica e as propriedades térmicas do substrato suportam dispositivos piezoelétricos de alta precisão.

Motores de alta potência: A condutividade térmica e a durabilidade do substrato AIN melhoram a eficiência e a vida útil dos motores de alta potência.

Computação Quântica: O gerenciamento térmico preciso e as propriedades de isolamento elétrico do substrato AIN o tornam adequado para aplicações avançadas de computação quântica.