Filamento de aquecimento SiC

O Semicorex SiC Heating Filament, um elemento de aquecimento de alto vácuo desenvolvido para processamento de wafer na fabricação de novos semicondutores, é um elemento de aquecimento inovador projetado com umnúcleo de grafitee de alta purezarevestimento de carboneto de silício. O filamento especial utiliza a condutividade térmica do grafite e a durabilidade e proteção do SiC, resultando em um aquecedor estável e com baixo consumo de energia ao longo do tempo. O filamento de aquecimento SiC foi projetado para aquecer wafers uniformemente e atingir as especificações, tornando-o um excelente componente para processamento de semicondutores em alta temperatura, como epitaxia, difusão e recozimento.

O filamento de aquecimento SiC é feito com grafite de alta pureza devido às propriedades térmicas e propriedades elétricas de qualidade da grafite. A grafite fornece a principal função de aquecimento, permitindo uma resposta rápida e um aquecimento eficiente sob carga elétrica. O denso revestimento de SiC de alta pureza protege o filamento de possíveis fontes de contaminação. O revestimento de SiC protege o wafer da contaminação química e da oxidação, bem como das partículas na câmara, prolongando a vida útil do filamento e criando um ambiente de câmara limpo.

Uma qualidade fundamental do filamento de aquecimento SiC é a capacidade de fornecer aquecimento uniforme do wafer. Variações de temperatura no wafer podem levar a defeitos ou perda de rendimento. O Filamento de Aquecimento SiC possui excelente condutividade térmica e o design sólido do filamento garante que o calor será estável e mais uniforme, limitando gradientes térmicos para controle absoluto do processo.

O filamento de aquecimento SiC é personalizável, o valor da resistência elétrica de cada filamento pode ser personalizado para sua ferramenta de processo e ambiente operacional. Essa personalização permite que a tecnologia de carboneto de silício controle o valor de resistência da geometria do filamento, a espessura do revestimento e as propriedades do material. Um filamento de aquecimento SiC pode se adaptar a muitos designs de fornos diferentes, com diversos tamanhos de wafer e receitas de processo. Isto é especialmente favorável para os fabricantes de semicondutores, pois permite que os processos atuais funcionem de forma mais eficiente e mantém a compatibilidade com os sistemas já existentes.  A terceira característica do desempenho é a durabilidade. Em processos semicondutores de alta temperatura, o elemento de aquecimento é exposto a ambientes químicos muito agressivos e repetidos ciclos térmicos.

As aplicações do Filamento de Aquecimento Semicorex SiC cobrem uma ampla gama de processos de fabricação de dispositivos semicondutores. Durante o crescimento epitaxial, por exemplo, o elemento de aquecimento proporciona uma temperatura de substrato estável e uniforme para depositar filmes cristalinos de alta qualidade.