Anel de foco SiC

O Semicorex SiC Focus Ring é um componente em formato de anel projetado com precisão, fabricado em carboneto de silício de alta pureza. O SiC Focus Ring foi projetado para aplicações avançadas de processamento de semicondutores. O carboneto de silício de alta pureza oferece excelente desempenho em termos de estabilidade térmica (alto ponto de fusão), durabilidade mecânica (alta dureza) e propriedades de condução elétrica, o que é fundamental para atender às especificações de muitas tecnologias de fabricação de wafers de última geração. SiC Focus Ring são componentes encontrados em componentes de câmara de deposição e gravação de plasma e desempenham um papel essencial no controle da distribuição de plasma, alcançando uniformidade de wafer e rendimento na produção em massa.

A pureza do material e o desempenho elétrico do SiC Focus Ring são alguns dos fatores mais críticos que definem este componente e o diferenciam dos materiais cerâmicos. Alta purezacarboneto de silícioé diferente dos materiais cerâmicos tradicionais, pois fornece uma combinação de 

dureza, bem como resistência a muitos produtos químicos e propriedades elétricas exclusivas. Notavelmente, e mais importante ainda, o carboneto de silício de alta pureza pode ser projetado usando dopantes e métodos de processamento para produzir os níveis mais adequados de desempenho condutivo ou insultuoso com o equilíbrio semicondutor ideal para interagir com o plasma, permitindo um desempenho estável em ambientes de alta energia onde o acúmulo de carga e o desequilíbrio elétrico têm maior probabilidade de causar erros de processo.

Devido ao efeito de borda do plasma, a densidade é maior no centro e menor nas bordas. O anel de foco, através de seu formato anular e das propriedades do material CVD SiC, gera um campo elétrico específico. Este campo orienta e confina as partículas carregadas (íons e elétrons) no plasma à superfície do wafer, principalmente na borda. Isto aumenta efetivamente a densidade do plasma na borda, aproximando-a daquela no centro. Isso melhora significativamente a uniformidade da gravação em todo o wafer, reduz os danos nas bordas e aumenta o rendimento.

A Mercury Manufacturing processa o SiC Focus Ring utilizando processos sofisticados de usinagem e polimento que alcançam tolerâncias dimensionais rígidas e um acabamento superficial liso. A precisão dimensional desses componentes permite a compatibilidade com vários fornecedores de equipamentos semicondutores para garantir a intercambialidade entre muitos sistemas de gravação e deposição de plasma. Projetos personalizados também podem ser desenvolvidos para atender a requisitos específicos do processo, incluindo espessura do anel, diâmetro interno e externo e níveis de condutividade superficial.

As aplicações do SiC Focus Ring cobrem uma ampla gama na fabricação de semicondutores: DRAM, flash NAND, dispositivos lógicos e novas tecnologias de semicondutores de potência. À medida que as geometrias dos dispositivos diminuem e continuam a avançar através dos nós do processo, a necessidade de componentes de câmara altamente confiáveis ​​e estáveis, como o SiC Focus Ring, torna-se crítica. O SiC Focus Ring oferece controle exato do plasma e melhora consistentemente a qualidade do wafer, ampliando as ambições da indústria em direção a dispositivos eletrônicos cada vez menores, mais rápidos e eficientes. Semicorex SiC Focus Ring define o ponto de intersecção da ciência dos materiais, engenharia de precisão e evolução do processo de semicondutores. O SiC Focus Ring possui excelente estabilidade térmica, resistência química superior e condutividade elétrica quase específica. Esses recursos o tornam um componente crítico para garantir confiabilidade e rendimento durante os processos.