Mandril eletrostático PBN

Propriedades materiais dePBNMandril Eletrostático

Resistência a altas temperaturas e resistência dielétrica

OPBNO mandril eletrostático é conhecido por sua excepcional resistência a altas temperaturas, uma característica fundamental no processo de fabricação de semicondutores. O nitreto de boro pirolítico (PBN), material utilizado na construção do mandril, apresenta uma resistividade superior à cerâmica mais comumente utilizada, o que é crucial para manter a força do mandril Johnsen-Rahbek (J-R) até temperaturas de 1050°C. Esta alta resistividade, aliada à sua alta rigidez dielétrica, garante que a falha elétrica seja efetivamente evitada mesmo sob calor intenso, aumentando assim a confiabilidade operacional do mandril.

Uniformidade térmica e resistência ao choque

A estrutura hexagonal do PBN, preparada através de deposição química de vapor a temperaturas superiores a 1500°C, contribui para a sua excelente uniformidade térmica e resistência ao choque. Os elementos de aquecimento de alta densidade dentro doPBNO mandril eletrostático permite atingir um perfil térmico de wafer consistente com boa uniformidade de 1,1–1,5% em temperaturas de 600–800°C. Além disso, o mandril baseado em PBN demonstra notável resistência ao choque térmico e menor massa térmica, permitindo atingir 600°C a uma velocidade de subida rápida de 23°C/s sem o risco de rachaduras ou delaminação.

Aquecimento multizona personalizável

O mandril eletrostático PBN é altamente personalizável, apresentando recursos de aquecimento multizona que permitem o máximo controle de temperatura. Esse nível de personalização garante que cada mandril possa ser adaptado para atender às necessidades específicas de clientes individuais, fornecendo uma solução flexível para diversas aplicações de processamento de semicondutores.

Aplicações dePBNMandril Eletrostático

Implantação de íons e manuseio de wafer

O mandril eletrostático PBN é o aparelho de manuseio de wafer preferido em processos de implantação iônica. Sua capacidade de reter wafers em temperaturas superiores a 1.000°C o torna um dos mandris eletrostáticos mais versáteis do mercado. Esta versatilidade é ainda reforçada pela sua capacidade de manter os wafers dentro de faixas de temperatura muito restritas, graças aos elementos de aquecimento multizonas de alta densidade.

Implantação de íons de carboneto de silício

Na aplicação específica de implantação de íons SiC, oPBNO mandril eletrostático oferece uma solução viável para os desafios de aquecimento e manuseio de wafers. Suas capacidades de dupla função, que incluem alta força de mandril, alto poder de aquecimento, boa uniformidade térmica e resposta rápida, tornam-no a escolha ideal para atender aos complexos requisitos de implantação de íons SiC.

Fabricação de semicondutores

O mandril eletrostático PBN desempenha um papel crítico na fabricação de semicondutores, onde o manuseio preciso do wafer e o controle de temperatura são essenciais. Sua alta resistência ao choque térmico e capacidade de aumento rápido de temperatura o tornam adequado para processos avançados de semicondutores que exigem gerenciamento rigoroso de temperatura e ciclos térmicos rápidos.