A epitaxia de carboneto de silício (SiC) é uma tecnologia chave no campo de semicondutores, particularmente para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alta potência. O SiC é um semicondutor composto com um amplo bandgap, o que o torna ideal para aplicações que requerem operação em alta te......
consulte Mais informaçãoOs semicondutores são materiais que orientam as propriedades elétricas entre condutores e isolantes, com igual probabilidade de perda e ganho de elétrons na camada mais externa do núcleo atômico, e são facilmente transformados em junções PN. Tais como "silício (Si)", "germânio (Ge)" e outros materia......
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