Gravura a Seco vs Gravura a Úmido

Na fabricação de semicondutores, a gravação é uma das etapas principais, junto com a fotolitografia e a deposição de filmes finos. Envolve a remoção de materiais indesejados da superfície de um wafer usando métodos químicos ou físicos. Esta etapa é realizada após revestimento, fotolitografia e revelação. É utilizado para remover o material de filme fino exposto, deixando apenas a porção desejada do wafer e, em seguida, removendo o excesso de fotorresistente. Estas etapas são repetidas inúmeras vezes para criar circuitos integrados complexos.

A gravação é classificada em duas categorias: gravação a seco e gravação a úmido. A gravação a seco envolve o uso de gases reativos e gravação por plasma, enquanto a gravação a úmido envolve a imersão do material em uma solução de corrosão para corroê-lo. A gravação a seco permite a gravação anisotrópica, o que significa que apenas a direção vertical do material é gravada sem afetar o material transversal. Isso garante a transferência de pequenos gráficos com fidelidade. Em contraste, a gravação úmida não é controlável, o que pode reduzir a largura da linha ou até mesmo destruir a própria linha. Isso resulta em chips de produção de baixa qualidade.

O ataque a seco é classificado em ataque físico, ataque químico e ataque físico-químico com base no mecanismo de ataque iônico usado. A gravação física é altamente direcional e pode ser uma gravação anisotrópica, mas não uma gravação seletiva. A gravação química utiliza plasma na atividade química do grupo atômico e do material a ser gravado para atingir o objetivo da gravação. Possui boa seletividade, mas a anisotropia é pobre devido ao núcleo da corrosão ou reação química.