Notícias - Semicorex Advanced Material Technology Co.,Ltd

Gravura a Seco vs Gravura a Úmido

Na fabricação de semicondutores, a gravação é uma das etapas principais, junto com a fotolitografia e a deposição de filmes finos. Envolve a remoção de materiais indesejados da superfície de um wafer usando métodos químicos ou físicos. Esta etapa é realizada após revestimento, fotolitografia e revel......

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Luxação em cristais de SiC

O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico.

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Sobre defeitos em cristais de SiC - Micropipe

O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico. Os cristais de SiC também pode......

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Por que escolher o método de epitaxia em fase líquida?

Comparado com o método PVT, o método de fase líquida para cultivo de SiC tem as seguintes vantagens:

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O que é epitaxia em fase líquida?

O método da fase líquida está mais próximo das condições de equilíbrio termodinâmico e é capaz de cultivar cristais de SiC com melhor qualidade.

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Revestimento TaC

De acordo com os resultados da pesquisa, o revestimento TaC pode atuar como uma camada de proteção e isolamento para prolongar a vida útil dos componentes de grafite, melhorar a uniformidade da temperatura radial, manter a estequiometria de sublimação de SiC, suprimir a migração de impurezas e reduz......

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