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Notícias da indústria

Infineon lança o primeiro wafer Power GaN de 300 mm do mundo

Recentemente, a Infineon Technologies anunciou o desenvolvimento bem-sucedido da primeira tecnologia de wafer de nitreto de gálio (GaN) de potência de 300 mm do mundo.

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Fabricação de silício monocristalino

Os três métodos principais usados na fabricação de silício monocristalino são o método Czochralski (CZ), o método Kyropoulos e o método Float Zone (FZ).

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Oxidação no Processamento de Semicondutores

Os processos de oxidação desempenham um papel crítico na prevenção de tais problemas, criando uma camada protetora no wafer, conhecida como camada de óxido, que atua como uma barreira entre diferentes produtos químicos.

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O que é nitreto de silício

O nitreto de silício (Si3N4) é um material chave no desenvolvimento de cerâmicas estruturais avançadas de alta temperatura.

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Compreendendo as diferenças de gravação entre wafers de silício e carboneto de silício

Processo de Gravura: Silício vs. Carboneto de Silício

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O que é mandril eletrostático (ESC)?

Na fabricação de semicondutores, a precisão e a estabilidade do processo de gravação são fundamentais. Um fator crítico para obter uma gravação de alta qualidade é garantir que os wafers fiquem perfeitamente planos na bandeja durante o processo.

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