Componentes Semicorex SiC em forno de alta temperatura

Cerâmica SiCé o material resistente a altas temperaturas, que é durável no processo de semicondutores. Enquanto isso, o material pode ser de alta pureza para atender ao nível de semicondutores.

Semicorex fornece vários produtos personalizadosCerâmica SiCprodutos, com tecnologia de impressão 3D.

1. A impressão 3D permite a moldagem única de toda a forma e depois a sinterização, tudo dentro de uma sala limpa, evitando a introdução de contaminação iônica durante o processo de fabricação.

2. A fundição tradicional de barbotina requer moldes, e o processo de desmoldagem pode facilmente introduzir contaminação.

3. Para o tubo horizontal do forno com tubo de gás residual, a fundição de pasta tradicional requer moldagem e sinterização separadas do corpo do forno e do tubo de gás, seguido por um segundo processo de sinterização antes que o bico de gás possa ser colado. Isso resulta em menor resistência na junta, tornando-a propensa à quebra.

4. Como a impressão 3D cria toda a forma antes da sinterização, o acabamento subsequente melhora significativamente o rendimento, especialmente para produtos que exigem ranhuras, como wafer boats.

5. A impressão 3D também oferece melhor uniformidade de densidade do que a fundição convencional.

Barcos de SiC

A barco de waferé um transportador de processo usado para armazenar wafers, principalmente em equipamentos de processamento de alta temperatura.

Nos processos de fabricação de semicondutores, os wafers passam por múltiplas etapas de processamento térmico, como difusão, oxidação, recozimento e deposição química de vapor (CVD). Durante esses processos, os wafers são normalmente agrupados em equipamentos tubulares de fornalha, e o barco de wafers desempenha as seguintes funções:

• Carregando vários wafers e mantendo um espaçamento estável;
• Garantir a estabilidade posicional de wafers em ambientes de alta temperatura;
• Garantir fluxo uniforme de gás em conjunto com o equipamento.

A estrutura e as propriedades do material do barco wafer afetam diretamente a distribuição do campo térmico e a consistência do processo.

Os barcos wafer de carboneto de silício normalmente empregam um design de estrutura, oferecendo alta estabilidade estrutural. Os recursos típicos incluem:

Estrutura de slot multicamadas para posicionamento preciso do wafer;

Design aberto para fácil fluxo de gás entre wafers;

Estrutura de alta rigidez para reduzir o risco de deformação em ambientes de alta temperatura.

Dependendo do tipo de equipamento, os barcos wafer podem ser projetados como estruturas verticais ou horizontais e suportam diferentes tamanhos de wafer (por exemplo, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas).

Pás cantilever SiC

No processo de fabricação de energia fotovoltaica, os wafers de silício são colocados em pequenos barcos, que depois são colocados em suportes de barcos para processos térmicos como difusão e LPCVD. O carboneto de silícioremo cantileveré um componente chave de carregamento que move o suporte do barco que transporta as pastilhas de silício para dentro e para fora do forno de aquecimento. A pá cantilever de carboneto de silício garante a concentricidade das pastilhas de silício e dos tubos do forno, resultando em difusão e passivação mais uniformes. Também permanece livre de poluição e deformação em altas temperaturas, apresenta excelente resistência ao choque térmico e possui grande capacidade de carga, o que o torna amplamente utilizado no campo de células fotovoltaicas.

Tubos de SiC

Tubos de fornosão uma aplicação chave em processos de fabricação de semicondutores, incluindo oxidação térmica, dopagem por difusão, recozimento e deposição química de vapor (LPCVD, APCVD). Esses processos são normalmente realizados em fornos de alta temperatura e abrangem etapas importantes na fabricação de semicondutores, como oxidação, difusão de impurezas e recozimento para reparo de defeitos de cristal.

A oxidação térmica é o processo mais básico do tubo do forno, envolvendo o aquecimento de uma pastilha de silício em um ambiente de oxigênio ou vapor de água. Na microfabricação, a oxidação térmica é um método de criação de uma fina camada de óxido (normalmente dióxido de silício) na superfície do wafer. Esta técnica força um oxidante a se difundir no wafer em altas temperaturas e reagir com ele.

A dopagem por difusão é uma técnica de dopagem central na fabricação de semicondutores. Ao fazer com que átomos de impureza (como boro e fósforo) migrem para o substrato semicondutor (principalmente wafers de silício) em altas temperaturas, ele altera a condutividade local e a resistividade do substrato, construindo assim estruturas de dispositivos importantes, como junções PN, regiões de base e regiões emissoras.

Os processos de recozimento incluem principalmente o recozimento térmico rápido (RTA), um tipo de equipamento que atinge tratamento térmico de alta temperatura (300°C-1200°C) em um tempo extremamente curto (segundos). É amplamente utilizado em processos-chave, como ativação de dopantes semicondutores, formação de siliceto e engenharia de deformação. Sua tecnologia principal consiste no uso de lâmpadas infravermelhas halógenas ou fontes de laser para obter rápido aquecimento e resfriamento, eliminando defeitos internos do wafer e otimizando a estrutura cristalina, melhorando assim o desempenho do dispositivo semicondutor.

Os fornos de recozimento térmico rápido oferecem uma ampla gama de aplicações, como recozimento (RTA) de wafers de silício e semicondutores compostos, oxidação térmica rápida (RTO), nitretação térmica rápida (RTN), difusão térmica rápida de dopantes revestidos por rotação, cristalização e liga de contato.