2024-05-13
Atualmente, a maioria dos fabricantes de substrato de SiC usa um novo projeto de processo de campo térmico de cadinho com cilindros de grafite poroso: colocando matérias-primas de partículas de SiC de alta pureza entre a parede do cadinho de grafite e o cilindro de grafite poroso, enquanto aprofunda todo o cadinho e aumenta o diâmetro do cadinho. A vantagem é que enquanto o volume de carga aumenta, a área de evaporação das matérias-primas também aumenta. O novo processo resolve o problema dos defeitos cristalinos, causados pela recristalização da parte superior da matéria-prima à medida que o crescimento avança na superfície do material de origem, afetando o fluxo de sublimação do material. O novo processo também reduz a sensibilidade da distribuição de temperatura na área da matéria-prima ao crescimento de cristais, melhora e estabiliza a eficiência de transferência de massa, reduz o impacto das inclusões de carbono nas fases posteriores de crescimento e melhora ainda mais a qualidade dos cristais de SiC. O novo processo também utiliza um método de fixação de suporte de cristal sem sementes que não adere ao cristal de semente, permitindo expansão térmica livre e propício ao alívio do estresse. Este novo processo otimiza o campo térmico e melhora muito a eficiência da expansão do diâmetro.
A qualidade e o rendimento dos monocristais de SiC obtidos por este novo processo dependem fortemente das propriedades físicas da grafite cadinho e da grafite porosa. A demanda urgente por grafite porosa de alto desempenho não só torna a grafite porosa extremamente cara, mas também causa uma grave escassez no mercado.
Requisitos básicos de desempenho degrafite poroso
(1) Distribuição adequada do tamanho dos poros;
(2) Porosidade suficientemente alta;
(3) Resistência mecânica que atende aos requisitos de processamento e uso.
Semicorex oferece alta qualidadegrafite porosopeças. Se você tiver alguma dúvida ou precisar de detalhes adicionais, não hesite em entrar em contato conosco.
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