Chuveiros em Gravura

Os chuveiros de carboneto de silício (SiC) são componentes-chave em equipamentos de fabricação de semicondutores, desempenhando um papel crucial em processos avançados, como deposição química de vapor (CVD) e deposição de camada atômica (ALD).

A função principal de umChuveiro SiCé distribuir uniformemente os gases reagentes pela superfície do wafer, garantindo camadas depositadas uniformes e consistentes. Nos processos CVD e ALD, a distribuição uniforme dos gases reagentes é crucial para a obtenção de filmes finos de alta qualidade. A estrutura exclusiva e as propriedades do material dos chuveiros de SiC permitem distribuição eficiente de gás e fluxo uniforme de gás, atendendo aos rigorosos requisitos de qualidade e desempenho de filme na fabricação de semicondutores.

Durante o processo de reação do wafer, a superfície do chuveiro é densamente coberta por microporos (diâmetro dos poros 0,2-6 mm). Através de uma estrutura de poros e caminho de gás projetados com precisão, gases de processo especializados passam por milhares de pequenos orifícios na placa de distribuição de gás e são depositados uniformemente na superfície do wafer. Isso garante camadas de filme altamente uniformes e consistentes em diferentes regiões do wafer. Portanto, além dos requisitos extremamente elevados de limpeza e resistência à corrosão, a placa de distribuição de gás também impõe exigências rigorosas à consistência do diâmetro da abertura e à presença de rebarbas nas paredes internas das aberturas. Tolerância excessiva e desvio padrão de consistência do tamanho da abertura, ou presença de rebarbas em qualquer parede interna, ocasionarão espessura irregular do filme depositado, impactando diretamente no rendimento do processo do equipamento. Em processos assistidos por plasma (como PECVD e ataque a seco), o chuveiro, como parte do eletrodo, gera um campo elétrico uniforme usando uma fonte de energia de RF, promovendo distribuição uniforme de plasma e melhorando assim a uniformidade de ataque ou deposição.

Os chuveiros de SiC são amplamente utilizados na fabricação de circuitos integrados, sistemas microeletromecânicos (MEMS), semicondutores de potência e outros campos. Suas vantagens de desempenho são particularmente evidentes em nós de processos avançados que exigem deposição de alta precisão, como processos de 7 nm e 5 nm e inferiores. Eles fornecem distribuição de gás estável e uniforme, garantindo uniformidade e consistência da camada depositada, melhorando assim o desempenho e a confiabilidade dos dispositivos semicondutores.

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