Susceptor Epitaxial LED UV Profundo

Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de Susceptor de grafite revestido com carboneto de silício na China. Somos fabricantes e fornecedores de susceptor epitaxial LED UV profundo há muitos anos. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem a maior parte dos mercados europeu e americano. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Os susceptores epitaxiais de LED UV profundo são essenciais para a fabricação de LED. A placa revestida de carboneto de silício (SiC) Semicorex torna a fabricação de wafers LED UV profundos de alta qualidade mais eficiente. O revestimento SiC é um revestimento denso e resistente ao desgaste de carboneto de silício (SiC). Possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD).
Não importa quais sejam seus requisitos específicos, identificaremos a melhor solução para epitaxia MOCVD, bem como para as indústrias de semicondutores e LED.
Nosso Susceptor Epitaxial LED Deep-UV foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso Susceptor Epitaxial LED Deep-UV.

Parâmetros do susceptor epitaxial LED UV profundo

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor epitaxial LED UV profundo

- Menor desvio de comprimento de onda e maior rendimento de chips
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Tolerâncias dimensionais mais restritas levam a maior rendimento do produto e custos mais baixos
-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.