Semicorex é um fabricante e fornecedor em larga escala de Susceptor de Grafite Revestido de Carbeto de Silício na China. Há muitos anos que somos fabricantes e fornecedores de Susceptor Epitaxial LED UV Profundo. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
Os susceptores epitaxiais de LED UV profundo são essenciais para a fabricação de LED. A placa revestida de carbeto de silício Semicorex (SiC) torna a fabricação de wafers de LED UV profundos de alta qualidade mais eficiente. O revestimento SiC é um revestimento de carboneto de silício (SiC) denso e resistente ao desgaste. Possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD).
Não importa quais sejam seus requisitos específicos, identificaremos a melhor solução para epitaxia MOCVD, bem como para as indústrias de semicondutores e LED.
Nosso Susceptor Epitaxial de LED UV Profundo foi projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor epitaxial de LED ultravioleta profundo.
Parâmetros do susceptor epitaxial LED ultravioleta profundo
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
¼m |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do Susceptor Epitaxial LED UV Profundo
- Menor desvio de comprimento de onda e maiores rendimentos de cavacos
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Tolerâncias dimensionais mais apertadas levam a um maior rendimento do produto e custos mais baixos
- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.