Guias de fluxo compostos de carbono-carbono

As guias de fluxo compostas de carbono-carbono são geralmente posicionadas acima do cadinho nos fornos de crescimento de cristal único. Eles colaboram com componentes como aquecedores, cadinhos e cilindros de isolamento para constituir o campo térmico ideal necessário para o crescimento do silício monocristalino.

Compósitos carbono-carbonoutilizam carbono como matriz e fibras de carbono e seus tecidos como reforço, fabricando através de uma combinação de deposição química de vapor (CVD) e grafitização. Este processo de fabricação preciso oferece guias de fluxo compostas de carbono-carbono com uma estrutura densa e composição uniforme, garantindo desempenho estável e atendendo aos requisitos para uso contínuo de vários lotes nos fornos de extração de silício de cristal único.

Esta estrutura composta confere-lhes propriedades notáveis ​​​​de compósitos carbono-carbono, como baixa densidade, alto módulo específico, forte resistência ao desgaste e resistência superior a altas temperaturas. Baseando-se neste contorno superior do compósito e nas propriedades do material, as guias de fluxo compostas de carbono-carbono são capazes de direcionar a distribuição consistente de gás dentro do forno durante as operações de desenvolvimento de silício de cristal único. Enquanto isso, as guias de fluxo compostas de carbono-carbono também são capazes de proteger o calor para evitar a perda de calor e gerar o gradiente de temperatura necessário, o que permite que o silício monocristalino se desenvolva sob condições térmicas ideais.

A Semicorex aceita serviços customizados com base nos desenhos fornecidos. Quer se trate do contorno, da tolerância dimensional ou das especificações relacionadas às funções principais, nossa equipe técnica pode personalizar guias de fluxo compostas de carbono-carbono que se adaptam às suas condições de trabalho. Nossas guias de fluxo compostas de carbono-carbono premium têm valor de aplicação insubstituível no processo de crescimento de silício monocristalino altamente corrosivo e em alta temperatura. Eles podem fornecer o ambiente gasoso estável necessário para o crescimento do silício monocristalino, melhorando significativamente a qualidade do lingote de silício e a eficiência da produção.