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Notícias
Substrato vs. Epitaxia: papéis principais na fabricação de semicondutores
Nos domínios da tecnologia de semicondutores e da microeletrônica, os conceitos de substratos e epitaxia têm uma importância significativa. Eles desempenham papéis críticos no processo de fabricação de dispositivos semicondutores. Este artigo irá aprofundar as diferenças entre substratos semiconduto......
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Parâmetros-chave de substratos de carboneto de silício (SiC)
O processo de produção de carboneto de silício (SiC) abrange a preparação do substrato e da epitaxia do lado dos materiais, seguido pelo design e fabricação do chip, embalagem do dispositivo e, finalmente, distribuição para mercados de aplicação downstream. Entre essas etapas, o processamento do mat......
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Forno de crescimento de cristal de carboneto de silício (SiC)
O crescimento de cristais é o elo principal na produção de substratos de carboneto de silício, e o equipamento principal é o forno de crescimento de cristais. Semelhante aos tradicionais fornos de crescimento de cristal de grau de silício cristalino, a estrutura do forno não é muito complexa e consi......
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Desafios de aplicação e desenvolvimento de componentes de grafite revestidos com TaC
Os materiais semicondutores de banda larga de terceira geração, como nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC), são conhecidos por suas excepcionais capacidades de conversão optoeletrônica e transmissão de sinal de micro-ondas. Esses materiais atendem aos exigentes requisitos de dispositiv......
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Aplicações de carboneto de silício
O carboneto de silício tem um grande número de aplicações em indústrias emergentes e tradicionais. Atualmente, o mercado global de semicondutores ultrapassou 100 bilhões de yuans. Espera-se que, até 2025, as vendas globais de materiais de fabricação de semicondutores atinjam 39,5 bilhões de dólares ......
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