2024-05-21
Carboneto de Silíciotem um grande número de aplicações em indústrias emergentes e indústrias tradicionais. Atualmente, o mercado global de semicondutores ultrapassou 100 bilhões de yuans. Espera-se que, até 2025, as vendas globais de materiais de fabricação de semicondutores atinjam 39,5 bilhões de dólares, dos quais ocarboneto de silícioEspera-se que o mercado de semicondutores atinja um tamanho de mercado de 2,5 bilhões de dólares americanos em 2025. Ao mesmo tempo,carboneto de silícioainda é o material com melhor desempenho de aplicação em cerâmica tradicional, refratária, alta temperatura, retificação e outras áreas.
1. Campo semicondutor
Grinding discs, fixtures, etc. are important process equipment for silicon wafer production in the semiconductor industry. The grinding disc using silicon carbide ceramics has high hardness, low wear, and the thermal expansion coefficient is basically the same as that of the silicon wafer, so it can be grinded and polished at high speed. In addition, when silicon wafers are produced, they need to undergo high-temperature heat treatment, and silicon carbide fixtures are often used for transportation. In addition, as a representative of the third generation of wide band gap semiconductor materials, compared with silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs), silicon carbide single crystal material has a large band gap, high thermal conductivity, and high electron saturation mobility rate. and advanced properties of breakdown electric field. SiC devices make up for the shortcomings of traditional semiconductor materials in practical applications and have gradually become the mainstream of power semiconductors.
2. Cerâmica condutora de carboneto de silício
O carboneto de silício é uma cerâmica de engenharia muito importante. No entanto, devido à fragilidade, alta dureza e alta resistividade da cerâmica de SiC, é muito difícil processar e fabricar peças cerâmicas de SiC de grande porte ou de formato complexo. A fim de melhorar a usinabilidade da cerâmica de SiC, o desempenho de usinagem da cerâmica de SiC pode ser melhorado transformando a cerâmica de SiC em cerâmica condutora e usando processamento de descarga elétrica. Quando a resistividade da cerâmica SiC é controlada para cair abaixo de 100Ω·cm, ela pode atender aos requisitos da EDM e realizar processamento de superfície complexo rápido e preciso, o que é benéfico para o processamento e fabricação de componentes de grande porte ou formato complexo.
3. Área de resistência ao desgaste
A dureza do carboneto de silício perde apenas para o diamante e o carboneto de boro, e é um abrasivo comumente usado. Devido às suas propriedades superduras, pode ser preparado em diversos rebolos, lixas, lixas e diversos abrasivos, sendo amplamente utilizado na indústria de processamento mecânico.
Ao mesmo tempo, a alta dureza e o baixo coeficiente de atrito do carboneto de silício proporcionam excelente resistência ao desgaste e são particularmente adequados para várias condições de atrito e desgaste de deslizamento. O carboneto de silício pode ser processado em anéis de vedação com vários formatos, precisão dimensional e alto acabamento superficial. Assim como rolamentos, etc., eles são usados como peças mecânicas em muitos ambientes agressivos e possuem as características de boa estanqueidade ao ar e longa vida útil.
Carboneto de Silíciotambém tem muitas áreas de aplicação, como ambientes corrosivos, aplicações de alta temperatura, etc. Suas aplicações em campos de alta tecnologia, como semicondutores, energia nuclear, defesa nacional e tecnologia espacial, também estão em constante expansão e suas perspectivas de aplicação são muito amplas.