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Notícias
Barcos SiC vs. Barcos de Quartzo: Uso Atual e Tendências Futuras na Fabricação de Semicondutores
Este artigo investiga o uso e a trajetória futura dos barcos de carboneto de silício (SiC) em relação aos barcos de quartzo na indústria de semicondutores, focando especificamente em suas aplicações na fabricação de células solares.
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Wafers epitaxiais de nitreto de gálio: uma introdução ao processo de fabricação
O crescimento do wafer epitaxial de nitreto de gálio (GaN) é um processo complexo, geralmente utilizando um método de duas etapas. Este método envolve vários estágios críticos, incluindo cozimento em alta temperatura, crescimento da camada tampão, recristalização e recozimento. Ao controlar meticulo......
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Qual é a diferença entre wafers epitaxiais e difusos
Tanto os wafers epitaxiais quanto os difusos são materiais essenciais na fabricação de semicondutores, mas diferem significativamente em seus processos de fabricação e aplicações alvo. Este artigo investiga as principais distinções entre esses tipos de wafer.
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Fluxo do processo do núcleo do substrato de carboneto de silício
O substrato de carboneto de silício é um material semicondutor composto de cristal único composto por dois elementos, carbono e silício. Possui as características de grande bandgap, alta condutividade térmica, alta intensidade de campo de ruptura crítica e alta taxa de deriva de saturação de elétron......
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O papel crítico dos substratos de SiC e do crescimento de cristais na indústria de semicondutores
Dentro da cadeia industrial de carboneto de silício (SiC), os fornecedores de substratos detêm uma influência significativa, principalmente devido à distribuição de valor. Os substratos de SiC representam 47% do valor total, seguidos pelas camadas epitaxiais com 23%, enquanto o design e a fabricação......
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