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Sobre defeitos em cristais de SiC - Micropipe

O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico. Os cristais de SiC também pode......

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Por que escolher o método de epitaxia em fase líquida?

Comparado com o método PVT, o método de fase líquida para cultivo de SiC tem as seguintes vantagens:

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O que é epitaxia em fase líquida?

O método da fase líquida está mais próximo das condições de equilíbrio termodinâmico e é capaz de cultivar cristais de SiC com melhor qualidade.

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Revestimento TaC

De acordo com os resultados da pesquisa, o revestimento TaC pode atuar como uma camada de proteção e isolamento para prolongar a vida útil dos componentes de grafite, melhorar a uniformidade da temperatura radial, manter a estequiometria de sublimação de SiC, suprimir a migração de impurezas e reduz......

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O que é o processo CVD em semicondutores?

A deposição química de vapor CVD refere-se à introdução de duas ou mais matérias-primas gasosas em uma câmara de reação sob condições de vácuo e alta temperatura, onde as matérias-primas gasosas reagem entre si para formar um novo material, que é depositado na superfície do wafer.

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Visão geral do desenvolvimento da indústria fotovoltaica

Até 2027, a energia solar fotovoltaica (PV) ultrapassará o carvão como a maior capacidade instalada do mundo. A capacidade instalada acumulada de energia solar fotovoltaica quase triplica na nossa previsão, crescendo quase 1.500 gigawatts durante este período, e ultrapassará o gás natural até 2026 e......

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