Iniciar a produção de 3C-SiC Wafer

A condutividade térmica do 3C-SiC a granel, medida recentemente, é a segunda maior entre os grandes cristais em escala de polegadas, ficando logo abaixo do diamante. O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor de banda larga largamente utilizado em aplicações eletrônicas, e existe em várias formas cristalinas conhecidas como politipos. O gerenciamento de alto fluxo de calor localizado é um desafio significativo em eletrônica de potência, pois pode levar ao superaquecimento do dispositivo e a problemas de desempenho e confiabilidade a longo prazo.

Materiais de alta condutividade térmica são cruciais no projeto de gerenciamento térmico para enfrentar esse desafio de forma eficaz. Os politipos de SiC mais comumente usados ​​e estudados são a fase hexagonal (6H e 4H), enquanto a fase cúbica (3C) é menos explorada, apesar de seu potencial para excelentes propriedades eletrônicas.

A condutividade térmica medida do 3C-SiC tem sido intrigante, pois cai abaixo da fase 6H-SiC estruturalmente mais complexa e ainda mais baixa do que o valor previsto teoricamente. Na verdade, os cristais 3C-SiC contidos causam espalhamento de fônon ressonante extremo, o que reduz significativamente sua condutividade térmica. Alta condutividade térmica dos cristais 3C-SiC de alta pureza e alta qualidade cristalina.

Notavelmente, os filmes finos de 3C-SiC crescidos em substratos de Si exibem um recorde térmico no plano e no plano cruzadocondutividade, superando até filmes finos de diamante de espessuras equivalentes. Este estudo classifica o 3C-SiC como o segundo material de maior condutividade térmica entre os cristais em escala de polegadas, perdendo apenas para o diamante de cristal único, que possui a maior condutividade térmica entre todos os materiais naturais.

A relação custo-benefício, a facilidade de integração com outros materiais e a capacidade de aumentar tamanhos de wafer grandes tornam o 3C-SiC um material de gerenciamento térmico altamente adequado e um material eletrônico excepcional com alta condutividade térmica para fabricação escalável. A combinação única de propriedades térmicas, elétricas e estruturais do 3C-SiC tem o potencial de revolucionar a próxima geração de eletrônicos, servindo como componentes ativos ou materiais de gerenciamento térmico para facilitar o resfriamento do dispositivo e reduzir o consumo de energia. As aplicações que podem se beneficiar da alta condutividade térmica do 3C-SiC incluem eletrônica de potência, eletrônica de radiofrequência e optoeletrônica.

Temos o prazer de informar que a Semicorex iniciou a produção deBolachas 3C-SiC de 4 polegadas. Se você tiver alguma dúvida ou precisar de mais informações, não hesite em contactar-nos.

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