Aplicação de GaN

Existem muitos tipos de nitreto de gálio (GaN), comNitreto de gálio em silício sendo o mais discutido. Esta tecnologia envolve o cultivo de materiais GaN diretamente em um substrato de silício. Em comparação com substratos GaN tradicionais,Nitreto de gálio em silício possui características técnicas distintas. Ele permite a fabricação em larga escala e de baixo custo, utilizando equipamentos de processamento de silício e processos de fabricação existentes, o que lhe confere um potencial de mercado significativo.

Vantagens do GaN:

- Menor resistência, levando a perdas de condução reduzidas

- Velocidades de comutação mais rápidas, resultando em menores perdas de comutação

- Menor capacitância, o que diminui as perdas durante a carga e descarga

- Menos energia necessária para acionar o circuito

- Dispositivos menores que reduzem o espaço ocupado pela solução em placas de circuito impresso

- Custos gerais mais baixos

Nitreto de gáliotem uma variedade de cenários de aplicação. No campo da eletrônica de energia, é amplamente utilizado em fontes de alimentação comutadas de alta frequência, inversores solares e carregadores de veículos elétricos. Devido à sua alta potência e eficiência, o nitreto de gálio oferece melhores capacidades de conversão e controle de energia, abrindo novas possibilidades na eletrônica de energia.

Outra área de aplicação importante são as comunicações, especialmente com o desenvolvimento da tecnologia 5G. O nitreto de gálio serve como o “poderoso motor da era 5G”. Nas comunicações sem fio 5G, pode fornecer frequências mais altas e larguras de banda mais amplas, resultando em velocidades mais rápidas e sinais mais estáveis. Isto é crucial para alcançar comunicações sem fio de alta velocidade e baixa latência.

Adicionalmente,nitreto de gálioé amplamente utilizado em iluminação, lasers, sistemas de radar e gerenciamento de energia. À medida que a tecnologia amadurece e os custos continuam a diminuir, espera-se que desempenhe um papel cada vez mais importante em mais campos.