Infineon lança o primeiro wafer Power GaN de 300 mm do mundo

Recentemente, a Infineon Technologies anunciou o desenvolvimento bem-sucedido da primeira tecnologia de wafer de nitreto de gálio (GaN) de potência de 300 mm do mundo. Isso a torna a primeira empresa a dominar essa tecnologia inovadora e alcançar a produção em massa nos ambientes de fabricação existentes em grande escala e de alta capacidade. Esta inovação marca um avanço significativo no mercado de semicondutores de potência baseados em GaN.

Como a tecnologia de 300 mm se compara à tecnologia de 200 mm?

Em comparação com a tecnologia de 200 mm, o emprego de wafers de 300 mm permite a produção de 2,3 vezes mais chips GaN por wafer, melhorando significativamente a eficiência e a produção da produção. Este avanço não só consolida a liderança da Infineon no campo dos sistemas de energia, mas também acelera o rápido desenvolvimento da tecnologia GaN.

O que o CEO da Infineon disse sobre essa conquista?

O CEO da Infineon Technologies, Jochen Hanebeck, declarou: “Esta conquista notável demonstra nossa força robusta em inovação e é uma prova dos esforços incansáveis ​​de nossa equipe global. Acreditamos firmemente que este avanço tecnológico remodelará as normas da indústria e desbloqueará todo o potencial da tecnologia GaN. Quase um ano após a aquisição da GaN Systems, demonstramos mais uma vez nossa determinação em liderar o mercado de GaN em rápido crescimento. Como líder em sistemas de energia, a Infineon ganhou vantagem competitiva em três materiais principais: silício, carboneto de silício e GaN.”

O CEO da Infineon, Jochen Hanebeck, possui um dos primeiros wafers GaN Power de 300 mm do mundo produzidos em um ambiente de fabricação de alto volume existente e escalável

Por que a tecnologia GaN de 300 mm é vantajosa?

Uma vantagem significativa da tecnologia GaN de 300 mm é que ela pode ser produzida usando equipamentos existentes de fabricação de silício de 300 mm, já que o GaN e o silício compartilham semelhanças nos processos de fabricação. Este recurso permite que a Infineon integre perfeitamente a tecnologia GaN em seus sistemas de produção atuais, acelerando assim a adoção e aplicação da tecnologia.

Onde a Infineon produziu com sucesso wafers GaN de 300 mm?

Atualmente, a Infineon fabricou com sucesso wafers de GaN de 300 mm nas linhas de produção de silício de 300 mm existentes em sua usina de energia em Villach, na Áustria. Com base na base estabelecida da tecnologia GaN de 200 mm e da produção de silício de 300 mm, a empresa expandiu ainda mais suas capacidades tecnológicas e de produção.

O que esse avanço significa para o futuro?

Este avanço não só destaca os pontos fortes da Infineon em inovação e capacidades de produção em larga escala, mas também estabelece uma base sólida para o desenvolvimento futuro da indústria de semicondutores de potência. À medida que a tecnologia GaN continua a evoluir, a Infineon persistirá em impulsionar o crescimento do mercado, reforçando ainda mais a sua posição de liderança na indústria global de semicondutores.**