Tecnologia de epitaxia de wafer de carboneto de silício

Carboneto de Silíciogeralmente usa o método PVT, com temperatura superior a 2.000 graus, longo ciclo de processamento e baixo rendimento, portanto o custo dos substratos de carboneto de silício é muito alto. O processo epitaxial do Carboneto de Silício é basicamente igual ao do Silício, exceto pelo projeto de temperatura e pelo projeto estrutural do equipamento. Em termos de preparação do dispositivo, devido à particularidade do material, o processo do dispositivo é diferente do Silício por utilizar processos de alta temperatura, incluindo implantação iônica em alta temperatura, oxidação em alta temperatura e processos de recozimento em alta temperatura.

Se você deseja maximizar as características deCarboneto de Silícioem si, a solução mais ideal é cultivar uma camada epitaxial em um substrato de cristal único de carboneto de silício. Um wafer epitaxial de carboneto de silício refere-se a um wafer de carboneto de silício no qual uma película fina de cristal único (camada epitaxial) com certos requisitos e o mesmo cristal do substrato é cultivada em um substrato de carboneto de silício.

Existem quatro grandes empresas no mercado dos principais equipamentos deMateriais epitaxiais de carboneto de silício:

[1]Aixtronna Alemanha: caracterizada por uma capacidade de produção relativamente grande;

[2]LPEna Itália, que é um microcomputador de chip único com uma taxa de crescimento muito elevada;

[3]TELEFONEeNuflareno Japão, cujo equipamento é muito caro, e em segundo lugar, a dupla cavidade, que tem certo efeito no aumento da produção. Entre eles, o Nuflare é um aparelho bastante diferenciado lançado nos últimos anos. Pode girar em alta velocidade, até 1.000 rotações por minuto, o que é muito benéfico para a uniformidade da epitaxia. Ao mesmo tempo, a direção do fluxo de ar é diferente de outros equipamentos, que é verticalmente para baixo, evitando a geração de algumas partículas e reduzindo a probabilidade de gotejamento no wafer.

Do ponto de vista da camada de aplicação terminal, os materiais de carboneto de silício têm uma ampla gama de aplicações em ferrovias de alta velocidade, eletrônica automotiva, rede inteligente, inversor fotovoltaico, eletromecânica industrial, data center, produtos da linha branca, eletrônicos de consumo, comunicação 5G, próximo- exibição de geração e outros campos, e o potencial de mercado é enorme.

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