Processo CVD para epitaxia de wafer de SiC

O processo CVD para epitaxia de wafer de SiC envolve a deposição de filmes de SiC em um substrato de SiC usando uma reação em fase gasosa. Os gases precursores de SiC, tipicamente metiltriclorossilano (MTS) e etileno (C2H4), são introduzidos em uma câmara de reação onde o substrato de SiC é aquecido a uma temperatura elevada (geralmente entre 1400 e 1600 graus Celsius) sob uma atmosfera controlada de hidrogênio (H2). .

Susceptor Epi-wafer Barrel

Durante o processo CVD, os gases precursores de SiC se decompõem no substrato de SiC, liberando átomos de silício (Si) e carbono (C), que então se recombinam para formar um filme de SiC na superfície do substrato. A taxa de crescimento do filme de SiC é tipicamente controlada ajustando a concentração dos gases precursores de SiC, a temperatura e a pressão da câmara de reação.

Uma das vantagens do processo CVD para epitaxia de wafer de SiC é a capacidade de obter filmes de SiC de alta qualidade com alto grau de controle sobre a espessura, uniformidade e dopagem do filme. O processo CVD também permite a deposição de filmes de SiC em substratos de grande área com alta reprodutibilidade e escalabilidade, tornando-se uma técnica econômica para fabricação em escala industrial.