Os principais parâmetros da gravação a seco

A gravação a seco é uma tecnologia principal nos processos de fabricação de sistemas microeletromecânicos. O desempenho do processo de gravação a seco exerce influência direta na precisão estrutural e no desempenho operacional de dispositivos semicondutores. Para controlar com precisão o processo de gravação, deve-se prestar muita atenção aos seguintes parâmetros principais de avaliação.

1.Etch Rete

A taxa de gravação refere-se à espessura do material gravado por unidade de tempo (unidades: nm/min ou μm/min). Seu valor afeta diretamente a eficiência da gravação, e uma baixa taxa de gravação prolongará o ciclo de produção. Deve-se notar que os parâmetros do equipamento, as propriedades do material e a área de gravação influenciam a taxa de gravação.

2. Seletividade

A seletividade do substrato e a seletividade da máscara são os dois tipos de seletividade de ataque a seco. Idealmente, o gás de ataque com alta seletividade de máscara e baixa seletividade de substrato deveria ser escolhido, mas na realidade, a escolha deve ser otimizada considerando as propriedades do material.

3.Uniformidade

A uniformidade dentro do wafer é a consistência da taxa em diferentes locais dentro do mesmo wafer, levando a desvios dimensionais em dispositivos semicondutores. Embora a uniformidade de wafer para wafer se refira à consistência da taxa entre diferentes wafers, o que pode causar flutuações na precisão de lote para lote.

4. Dimensão Crítica

A dimensão crítica refere-se aos parâmetros geométricos das microestruturas, como largura da linha, largura da vala e diâmetro do furo.

5. Proporção

A proporção de aspecto, como o nome sugere, é a proporção entre a profundidade da gravação e a largura da abertura. As estruturas de proporção de aspecto são um requisito fundamental para dispositivos 3D em MEMS e devem ser otimizadas por meio de proporção de gás e controle de potência para evitar a degradação da taxa inferior.

6. Dano gravado

Danos por corrosão, como gravação excessiva, corte inferior e gravação lateral, podem reduzir a precisão dimensional (por exemplo, desvio de espaçamento de eletrodos, estreitamento de feixes cantilever).

7. Efeito de carregamento

O efeito de carregamento refere-se ao fenômeno de que a taxa de gravação muda de forma não linear com variáveis ​​como a área e a largura de linha do padrão gravado. Em outras palavras, diferentes áreas gravadas ou larguras de linha levarão a diferenças na taxa ou na morfologia.

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