A quais indicadores devemos prestar atenção ao selecionar wafers adequados?

A seleção de wafers tem um impacto significativo no desenvolvimento e fabricação de dispositivos semicondutores.Bolachaa seleção deve ser orientada pelos requisitos de cenários de aplicação específicos e deve ser cuidadosamente avaliada usando as seguintes métricas cruciais.

1. Variação total da espessura:

A diferença entre as espessuras máxima e mínima medidas na superfície do wafer é conhecida como TTV.  É uma métrica importante para medir a uniformidade da espessura, e um desempenho superior é indicado por valores menores.

6.Tipo de condutividade/dopante:

O indicador de arco concentra-se no deslocamento vertical da área central do wafer, que reflete apenas o estado de curvatura local. É adequado para avaliar cenários sensíveis à planicidade local. O indicador de distorção é útil para avaliar o nivelamento e a distorção geral porque considera o desvio de toda a superfície do wafer e fornece informações sobre o nivelamento geral de todo o wafer.

3.Partícula:

A contaminação por partículas na superfície do wafer pode afetar a fabricação e o desempenho do dispositivo, por isso é necessário minimizar a geração de partículas durante o processo de produção e usar processos de limpeza especiais para reduzir e remover a contaminação por partículas da superfície.

4. Rugosidade:

Portabrocas de vacío de cerámica - Noticias - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

5. defeitos:

Defeitos de wafer referem-se a estruturas de rede incompletas ou irregulares causadas por processamento mecânico, que por sua vez formam camadas de danos ao cristal contendo microtubos, deslocamentos, arranhões. Isso danificará as propriedades mecânicas e elétricas do wafer e, eventualmente, poderá levar à falha do chip.

6.Tipo de condutividade/dopante:

Os dois tipos de wafers são tipo n e tipo p, dependendo dos componentes de dopagem. Os wafers do tipo n são normalmente dopados com elementos do Grupo V para obter condutividade. Fósforo (P), arsênico (As) e antimônio (Sb) são elementos dopantes comuns. Os wafers do tipo P são principalmente dopados com elementos do Grupo III, normalmente boro (B). O silício não dopado é chamado de silício intrínseco. Seus átomos internos são unidos por ligações covalentes para formar uma estrutura sólida, tornando-o um isolante eletricamente estável. No entanto, não existem pastilhas de silício intrínsecas que sejam completamente livres de impurezas na produção real.

7.Resistividade:

Os dois tipos de wafers são tipo n e tipo p, dependendo dos componentes de dopagem. Os wafers do tipo n são normalmente dopados com elementos do Grupo V para obter condutividade. Fósforo (P), arsênico (As) e antimônio (Sb) são elementos dopantes comuns. Os wafers do tipo P são principalmente dopados com elementos do Grupo III, normalmente boro (B). O silício não dopado é chamado de silício intrínseco. Seus átomos internos são unidos por ligações covalentes para formar uma estrutura sólida, tornando-o um isolante eletricamente estável. No entanto, não existem pastilhas de silício intrínsecas que sejam completamente livres de impurezas na produção real.

Concluindo, é recomendável que você esclareça as condições subsequentes do processo e as limitações do equipamento antes de selecionar os wafers e, em seguida, faça sua seleção com base nos indicadores acima para garantir o duplo objetivo de encurtar o ciclo de desenvolvimento de dispositivos semicondutores e otimizar os custos de fabricação.