Choupars semicondutores

Oplaca de distribuição de gás, muitas vezes chamado de "chuveiro", pode se parecer com um chuveiro convencional, mas seu preço pode chegar a centenas de milhares, significativamente mais alto do que um chuveiro típico do banheiro.

A superfície da placa de distribuição de gás possui centenas ou até milhares de pequenos orifícios arranjados com precisão, semelhantes a uma rede neural finamente tecida. Esse design permite o controle preciso do fluxo de gás e os ângulos de injeção, garantindo que todas as partes da área de processamento de wafer sejam uniformemente "banhadas" em gás de processo. Isso não apenas melhora a eficiência da produção, mas também melhora a qualidade do produto.

A placa de distribuição de gás é parte integrante dos processos -chave, como limpeza, gravação e deposição. Ele influencia diretamente a precisão dos processos de semicondutores e a qualidade dos produtos finais, tornando -o um componente crítico em várias aplicações de distribuição de gás.

Durante o processo de reação de wafer, a superfície dochuveiroé densamente coberto com microporos (abertura de 0,2-6 mm). Através da estrutura de canal e do caminho de gás com precisão, o gás de processo especial precisa passar por milhares de pequenos orifícios na placa de gás uniforme e depois ser depositado uniformemente na superfície da wafer. A camada de filme em diferentes áreas da bolacha precisa garantir alta uniformidade e consistência. Portanto, além de requisitos extremamente altos para a limpeza e a resistência à corrosão, a placa de distribuição de gás possui requisitos rígidos sobre a consistência da abertura dos pequenos orifícios na placa de distribuição de gás e nas rebarbas na parede interna dos pequenos orifícios. Se a tolerância do tamanho da abertura e o desvio padrão da consistência forem muito grandes ou houver rebarbas em qualquer parede interna, a espessura da camada de filme depositada será diferente, o que afetará diretamente o rendimento do processo do equipamento.

O material da placa de distribuição de gás às vezes é material quebradiço (como silício de cristal único, vidro de quartzo, cerâmica), que é fácil de quebrar sob a ação da força externa. É também um furo ultrafício dentro de 50 vezes o diâmetro do micropore, e a situação de corte não pode ser diretamente observada. Além disso, o calor de corte não é fácil de transmitir e a remoção do chip é difícil, e o bit de perfuração é facilmente quebrado devido ao bloqueio do chip. Portanto, seu processamento e preparação são muito difíceis.

Além disso, em processos assistidos por plasma (como PECVD e gravura a seco), a cabeça do chuveiro, como parte do eletrodo, também precisa gerar um campo elétrico uniforme através de uma fonte de alimentação de RF para promover a distribuição uniforme do plasma, melhorando assim a uniformidade da gravura ou deposição.

Como os gases utilizados no processo de fabricação de semicondutores podem estar alta temperatura, alta pressão ou corrosivo, o chuveiro geralmente é feito de materiais resistentes à corrosão. Na produção real, devido a diferentes cenários de uso e precisão necessária real, a placa de distribuição de gás pode ser dividida nas duas categorias a seguir, de acordo com sua composição material:

(1) placa de distribuição de gás de metal

Os materiais das placas de distribuição de gás metálico incluem liga de alumínio, aço inoxidável e metal de níquel, entre os quais o material da placa de distribuição de gás de metal mais utilizado é a liga de alumínio, porque possui boa condutividade térmica e forte resistência à corrosão. É amplamente disponível e fácil de processar.

(2) placa de distribuição de gás não metálica

Os materiais de placas de distribuição de gás não metálicos incluem silício de cristal único, vidro de quartzo e materiais de cerâmica. Entre eles, os materiais cerâmicos comumente usados são CVD-SIC, cerâmica de alumina, cerâmica de nitreto de silício, etc.

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