Portadores de wafer de grafite revestido com SiC

Na fabricação de wafers semicondutores, uma camada eptaxial precisa ser cultivada no substrato do wafer para que os dispositivos semicondutores possam ser fabricados nas etapas subsequentes. Como componente consumível indispensável no processo epitaxial do wafer que entra em contato direto com o substrato do wafer, o desempenho dos transportadores de wafer de grafite revestidos com SiC exerce um impacto significativo na uniformidade e pureza do crescimento do material epitaxial. Por esse motivo, é crucial que os usuários escolham um transportador de wafer de grafite revestido com SiC ideal.

Adotando grafite de alta pureza para fabricar a base dos transportadores de wafer e empregando um uniformeRevestimento CVD SiCpara fornecer ao transportador de wafer "armadura protetora", a Semicorex se dedica a oferecer um transportador de wafer de grafite revestido com SiC de alta qualidade que é capaz de fornecer suporte estrutural confiável para substratos de wafer em processos epitaxiais desafiadores, garantindo assim o crescimento estável e confiável de materiais epitaxiais.

1. Base de grafite premium

R. A base de grafite possui condutividade térmica superior, o que permite distribuição rápida e uniforme de calor durante processos epitaxiais.

B. Apresentando um coeficiente de expansão térmica relativamente baixo, a base de grafite pode garantir nossaPortadores de wafer de grafite revestido com SiCsuportar ciclos térmicos frequentes sem deformar facilmente.

C. Os materiais de grafite apresentam excelente resistência mecânica, portanto, nossos transportadores de wafer de grafite revestidos com SiC são capazes de suportar com segurança substratos de wafer durante aplicações de epitaxia de longo prazo.

2. Revestimento CVD SiC confiável

A. Limpeza ultra-elevada

A pureza do revestimento CVD SiC pode atingir o nível ppb, o que minimiza a contaminação entre o transportador do wafer e o substrato do wafer, satisfazendo assim totalmente os rigorosos requisitos de limpeza da indústria de semicondutores.

B. Proteção confiável

O revestimento CVD SiC apresenta uma estrutura densa e é capaz de isolar completamente a base de grafite de ambientes de alta temperatura e alta corrosão e inibir efetivamente a corrosão química e a oxidação da base de grafite, garantindo assim a operação confiável de nosso transportador de wafer de grafite revestido com SiC em serviço de longo prazo.

C. Forte força de ligação

O revestimento CVD SiC oferece condutividade térmica excepcional e expansão térmica semelhante à base de grafite. Apresenta forte resistência de ligação com a base de grafite e é menos propenso a rachar ou descascar, mesmo sob mudanças drásticas de temperatura.